[서울이코노미뉴스 박희만 기자] 삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4를 설 연휴 이후 세계 최초로 양산 출하한다.
인공지능(AI) 반도체 시장에서 주도권을 선점해 메모리 업계 1위 지위를 공고히 하겠다는 전략이다.
9일 업계에 따르면 삼성전자는 엔비디아에 공급할 HBM4의 양산 출하시점을 설 연휴이후, 이르면 이달 셋째 주로 확정한 것으로 전해졌다.
삼성전자는 엔비디아와의 품질 테스트를 조기에 통과하고 구매주문(PO)을 확보했으며, HBM4가 탑재될 엔비디아 AI 가속기 ‘베라 루빈(Vera Rubin)’ 출시 일정 등을 종합적으로 고려해 출하계획을 결정한 것으로 알려졌다.
이번 PO에는 고객사 모듈 테스트용 HBM4 샘플물량도 대폭 확대된 것으로 관측된다.
엔비디아는 다음 달 개최되는 ‘GTC 2026’에서 삼성전자 HBM4가 적용된 ‘베라 루빈’을 처음 공개할 것으로 예상된다.
HBM4의 양산 출하는 이번이 세계 최초다. 성능 또한 세계 최고 수준으로 평가된다.
삼성전자는 개발 초기부터 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 기준을 뛰어넘는 성능을 목표로 설정하고, 1c(10나노급 6세대) D램과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용하는 공정조합을 채택했다.
이에 따라 삼성전자 HBM4의 데이터 처리속도는 JEDEC 표준인 8Gbps를 넘어 최대 11.7Gbps에 달한다.
이는 JEDEC 기준 대비 약 37%, 이전 세대 HBM3E(9.6Gbps) 대비 약 22% 높은 수준이다.
단일스택 기준 메모리 대역폭은 전작 대비 2.4배 향상된 최대 3TB/s에 이르며, 12단 적층기술로 최대 36GB 용량을 제공한다. 향후 16단 적층기술 적용시 최대 48GB까지 확장 가능하다.
고성능과 함께 저전력 설계를 통해 서버 및 데이터센터의 전력소비와 냉각비용 절감효과도 기대된다.
삼성전자는 로직·메모리·파운드리·패키징을 모두 보유한 원스톱 반도체 역량을 바탕으로 첨단 메모리와 파운드리 공정의 시너지를 극대화해 HBM 경쟁력을 강화할 계획이다.
삼성전자는 올해 HBM 판매량이 전년 대비 3배 이상 증가할 것으로 전망하고, 생산능력 확대를 위해 평택캠퍼스 4공장에 신규라인을 구축하기로 했다.
최선단 공정 적용에도 안정적인 수율을 확보해 양산을 시작한 데 이어, 향후 생산확대 과정에서 수율이 더욱 개선될 것으로 예상된다.
회사측은 전체 메모리 시장상황을 고려해 HBM4 생산계획을 최적화할 방침이다.
메모리 가격상승 국면 속에서 세계 최대 생산능력을 효율적으로 배분·활용하고, 최고 성능 제품을 앞세워 시장 주도권과 점유율을 적극적으로 관리하겠다는 전략이다.