[서울이코노미뉴스 박희만 기자] 인공지능(AI) 반도체 수요급증 속에서 메모리 반도체 업체의 투자전략이 한층 정교해지고 있다.
신규 팹(Fab) 건설을 통한 생산능력 확대와 함께 차세대 공정전환에 속도를 높이며 기술주도권 확보 경쟁이 본격화되는 모습이다.
업계는 차세대 미세공정을 조기에 도입해 원가 경쟁력과 전력효율을 동시에 확보하려는 전략에 주목하고 있다.
특히 1c(10나노급 6세대) 공정 전환은 범용 D램 수익성 개선과 차세대 HBM4E 등 미래 메모리 경쟁력 확보의 핵심단계로 평가된다.
6일 반도체 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스의 1c 공정전환 투자가 당초 예상보다 앞당겨질 가능성이 제기되고 있다.
일부 생산라인에서는 1c 웨이퍼 초기 투입과 양산 확대 일정이 기존 전망보다 빨라질 수 있다는 관측이 나온다.
전환투자 특성상 장비 셋업과 공정 재배치 일정이 먼저 움직이는 만큼, 현장에서는 일정이 이미 앞당겨지고 있는 것으로 파악된다.
업계는 신규 팹 증설보다 기존라인 전환을 통해 ‘유효 캐파’를 확대하는 전략이 속도와 효율 측면에서 유리하다는 판단이 작용한 것으로 보고 있다.
이러한 변화는 HBM 중심 전략을 넘어 서버용 D램 등 베이스 메모리의 중요성이 다시 부각된 시장환경과 맞물린다.
AI 서버 전력소비가 증가하면서 고객들은 성능뿐 아니라 전력효율까지 동시에 요구하고 있기 때문이다.
1c 공정은 동일면적에서 더 많은 칩을 생산해 원가를 낮추는 동시에 성능과 전력효율을 함께 개선하는 세대전환 기술로 평가된다.
AI 서버 수요가 학습 중심에서 추론 중심으로 확대되며 데이터센터의 메모리 대역폭과 용량 요구가 커진 점도 공정전환을 가속하는 배경으로 꼽힌다.
특히 차세대 HBM4와의 연계성도 주목된다. HBM은 적층기술이 핵심이지만 적층단수가 높아질수록 이를 뒷받침하는 코어 다이의 전력 성능이 중요해진다.
이 때문에 HBM4 시대를 앞두고 1c 공정 전환을 늦추기 어렵다는 분석이 나온다.
양사는 같은 1c 공정을 두고도 서로 다른 전략을 취하고 있다.
삼성전자는 1c 전환을 HBM4 경쟁력 확보와 직접 연결하는 분위기다. 평택을 중심으로 단계적 라인전환을 통해 수율과 품질, 공급 안정성을 조기에 입증하려는 전략이 거론된다.
반면 SK하이닉스는 ‘세대 조합’ 전략에 무게를 두고 있다. 우선 1b 공정 기반으로 HBM 시장 주도권을 강화하고, 1c 공정은 서버 D램과 차세대 HBM 로드맵과 연계해 순차적으로 확대하는 전략이 유력하다는 평가다.