[서울이코노미뉴스 박희만 기자] 엔비디아가 차세대 인공지능(AI) 가속기 ‘베라 루빈’부터 성능에 따라 제품을 상·하위 등급으로 나눠 공급하는 ‘듀얼 빈(Dual Bin)’ 전략을 채택할 가능성이 커지고 있다.
이에 따라 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 공급망에서도 최고 사양을 앞세운 삼성전자의 역할 확대가 예상된다.
19일 업계에 따르면 AI 가속기 성능 경쟁이 격화되면서 엔비디아를 비롯한 주요 빅테크 기업들이 듀얼 빈 전략을 도입할 것이란 관측이 힘을 얻고 있다.
듀얼 빈은 동일제품군 내에서도 동작속도, 전력효율, 수율 등에 따라 성능 등급을 나눠 공급하는 방식이다.
이에 따라 AI 가속기에 탑재될 HBM4 역시 동작속도 기준 초당 11.7Gb 이상을 제공하는 최상위 제품과 10Gb대 성능의 차상위 제품으로 구분될 가능성이 제기된다.
현재 메모리 수급상황을 고려할 때 모든 물량을 최고 성능으로 채우기 어려운 만큼, 공급 안정성을 위해 요구사양을 일부 완화했다는 분석도 나온다.
빅테크 기업 입장에서는 핵심제품에는 최상위 HBM을, 일부제품에는 차상위 HBM을 적용하는 ‘투 트랙’ 전략을 통해 성능과 공급 효율을 동시에 확보할 수 있다.
특히 HBM 가격이 세대가 바뀔수록 급등하는 상황에서, 듀얼 빈 전략은 가격부담을 낮추고 공급사간 경쟁을 유도하는 효과도 기대된다.
업계에 따르면 삼성전자는 HBM4 가격을 전작 HBM3E 대비 20~30% 높은 약 700달러(약 100만원) 수준으로 제시한 것으로 알려졌다.
시장에서는 엔비디아가 듀얼 빈 구조를 도입하더라도 최고 성능제품 확보를 우선시할 것으로 보고 있다.
이같은 전략의 최대 수혜 기업으로는 삼성전자가 꼽힌다. 삼성전자의 HBM4는 업계 표준(1초당 8Gb)을 약 46% 상회하는 11.7Gb의 동작속도를 구현했다.
최대 동작속도는 엔비디아가 요구한 11.7Gb를 뛰어넘는 13Gb라고 밝혀 업계 최고 사양을 과시했다.
또한 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 1b 공정 D램을 적용한 것과 달리, 삼성전자는 1c 공정 D램과 4나노 기반 베이스 다이를 적용해 기술 경쟁력을 강조했다.
업계는 엔비디아가 최상위 HBM 물량 확보에 집중할수록 공급망내 삼성전자의 영향력이 확대될 것으로 보고 있다.
반면 차상위 성능제품은 SK하이닉스와 마이크론이 보완하는 역할분담 구조가 형성될 전망이다.