[서울이코노미뉴스 박희만 기자] SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체 생산역량 강화를 위해 용인 반도체 클러스터 1기 팹 건설에 21조원대 추가 투자를 확정했다.
AI 메모리 수요급증에 선제적으로 대응하고, 고대역폭메모리(HBM) 등 차세대 메모리 시장에서 글로벌 주도권을 강화하기 위한 행보다.
SK하이닉스는 25일 이사회 결의를 통해 용인 반도체 클러스터 1기 팹과 클린룸 5개를 추가 구축하기 위해 21조6081억원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다.
투자기간은 오는 3월1일부터 2030년 12월31일까지다.
앞서 회사는 지난 2024년 7월 1기 팹 건설과 클러스터 초기 운영에 필요한 부대시설 조성을 위해 9조4000억원 투자를 결정한 바 있다.
이번 추가 투자로 1기 팹에 투입되는 총 투자액은 약 31조원으로 확대됐다.
이번 자금은 1기 팹 골조공사를 마무리하고 전체 클린룸을 구축하는 데 사용될 예정이다.
1기 팹은 2개의 골조와 6개의 클린룸으로 구성되며, 클린룸 오픈시점은 기존 내년 5월에서 같은 해 2월로 앞당겨질 전망이다.
용인 반도체 클러스터는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대 416만㎡ 규모로 조성되는 일반산업단지로, 이중 197만㎡ 부지에 최첨단 팹 4기가 들어설 예정이다.
SK하이닉스는 국내외 소재·부품·장비 기업 50여곳과 협력단지를 구축하고, 총 600조원 규모의 투자를 단계적으로 집행할 계획이다.
회사는 지난해 2월 1기 팹을 착공했으며, 준공시점을 앞당기기 위해 공사를 가속화하고 있다.
1기 팹 완공이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 건설해 용인 클러스터를 ‘글로벌 AI 반도체 생산거점’으로 육성한다는 방침이다.
SK하이닉스 관계자는 “이번 추가 시설투자 집행은 대규모 투자계획이 본궤도에 올랐음을 의미한다”며 “고객의 중장기 수요전망과 기술 발전속도를 종합적으로 반영해 시장 성장방향을 예측하고 선도해 나가겠다”고 밝혔다.
SK하이닉스는 다음달 25일 경기 이천 본사에서 정기 주주총회를 열고 차선용 미래기술연구원장(사장)을 사내이사로 선임할 예정이다.
차선용 사장은 D램 개발 전문가로 지난 2022년부터 미래기술연구원을 이끌고 있다.