[서울이코노미뉴스 박희만 기자] 삼성전자가 엔비디아의 연례 개발자 콘퍼런스 GTC 2026에서 7세대 고대역폭메모리(HBM) ‘HBM4E’를 공개하고, 차세대 인공지능(AI) 가속기 ‘베라 루빈(Vera Rubin)’ 플랫폼을 지원하는 메모리 솔루션을 선보였다.
엔비디아가 데이터센터를 ‘AI 팩토리(AI Factory)’로 전환하는 전략을 추진하면서 차세대 AI 플랫폼인 베라 루빈의 중요성이 커지는 가운데, 삼성전자는 메모리와 스토리지 제품을 통해 AI 인프라 협력을 확대하고 있다.
삼성전자는 16일(현지시간)부터 오는 19일까지 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 GTC 2026에 참가한다고 17일 밝혔다.
삼성전자는 전시 부스에 ‘HBM4 히어로 월(Hero Wall)’을 구성해 메모리와 로직 설계, 파운드리, 첨단 패키징 기술을 아우르는 종합반도체기업(IDM) 역량을 강조했다.
또 ‘엔비디아 갤러리(Nvidia Gallery)’를 통해 AI 플랫폼 구축을 위한 양사의 전략적 파트너십을 부각했다.
전시 공간은 ▲AI 팩토리즈(AI 데이터센터) ▲로컬 AI(온디바이스 AI) ▲피지컬 AI(Physical AI) 등 세 가지 영역으로 나눠 구성됐다.
이 공간에서는 그래픽용 D램 GDDR7과 저전력 D램 LPDDR6, 솔리드스테이트드라이브(SSD) PM9E1 등 차세대 메모리 아키텍처도 함께 소개됐다.
행사 둘째 날인 17일에는 엔비디아 특별초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서, 엔비디아 차세대 시스템과 이를 지원하는 삼성전자의 메모리 토털 솔루션 전략을 설명한다.
이를 통해 양사의 협력이 단순 기술협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 강조했다.
삼성전자는 HBM 기술 경쟁력을 강조하기 위해 전시 동선을 구성했다. 엔비디아 베라 루빈 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩을 비롯해 차세대 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 했다.
삼성전자는 최신 1c(10나노급 6세대) D램 공정과 자사 4나노미터(㎚) 파운드리 공정을 HBM의 핵심부품인 베이스 다이에 적용해 차세대 HBM4E 개발을 진행하고 있다.
이번 행사에서는 HBM4E 실물 칩과 D램 단품 칩인 코어 다이(Core Die) 웨이퍼도 처음 공개했다.
또 기존 열압착 본딩(TCB) 기술 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 하이브리드 구리 본딩(HCB) 기술을 공개하며, 차세대 HBM 패키징 경쟁력도 선보였다.
삼성전자는 종합반도체(IDM) 체제를 기반으로 고성능 HBM 시대에 경쟁력을 강화한다는 계획이다.
이번 전시에서는 베라 루빈 플랫폼에 필요한 메모리와 스토리지를 모두 공급할 수 있는 ‘메모리 토털 솔루션’ 역량도 강조됐다.
부스내 ‘엔비디아 갤러리’에서는 루빈 GPU용 HBM4와 베라 CPU용 저전력 메모리 모듈 SOCAMM2, 스토리지 PM1763 등을 베라 루빈 플랫폼과 함께 전시해 협력관계를 부각했다.
SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하가 시작됐다.
또 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD PM1763은 베라 루빈 플랫폼의 메인 스토리지로 활용된다.
삼성전자는 부스내 서버 시연을 통해 PM1763이 탑재된 시스템에서 엔비디아 SCADA 워크로드를 직접 구동해 성능을 확인할 수 있도록 했다.
이와 함께 베라 루빈 플랫폼의 추론 성능과 전력효율 개선을 위해 도입된 CMX(Context Memory eXtension) 플랫폼에 공급되는 PCIe Gen5 기반 서버용 SSD PM1753도 함께 전시했다.